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RD100HHF1 paire assortie (une paire) Transistor de puissance MOSFET en silicium pièces de rechange originales YAESU
    RD100HHF1 paire assortie (une paire) Transistor de puissance MOSFET en silicium pièces de rechange originales YAESU

RD100HHF1 paire assortie (une paire) Transistor de puissance MOSFET en silicium pièces de rechange originales YAESU

Ref: RD100HHF1

Mitsubishi
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Finales par paires pour Yaesi FT-991, FT991A

PIÈCES DE RECHANGE D'ORIGINE YAESU

DESCRIPTION
RD100HHF1 est un transistor de type MOS FET spécifiquement
conçu pour les applications d'amplificateurs HF haute puissance.
CARACTÉRISTIQUES
•Haute puissance et gain élevé :
Pout>100W, Gp>11,5dB @Vdd=12,5V, f=30MHz
•Haut Efficacité : 60 % typique sur la bande HF
APPLICATION
Pour étage de sortie de haute puissance Amplificateurs HF
Bandes de postes radio mobiles.


Mitsubishi
RD100HHF1

Fiche technique

Mpn
RD100HHF1-101
Gars
generico
Marque compatible
Generico

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Datasheet RD100HHF1

Datasheet RD100HHF1

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RD100HHF1
rating 0.5
I was waiting Mitsubishi, as advertised, and received no name!!
No name Mosfet.
rating 5
No name Mosfet. They lack the Mitsubishi logo. The picture showed doesn\'t match with the Mosfet sent by Hamradioshop
tutto ok
rating 5
tutto ok

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